Toshiba lancar MOSFET kuasa saluran N 100V

TOKYO, 12 Jan – Toshiba Corporation, Storage & Electronic Devices Solutions Company hari ini memperkembang barisan MOSFET bervoltan rendah kuasa saluran N dengan penambahan MOSFET kuasa saluran N 100V yang menyokong pemacu tahap logik 4.5V untuk pengecas pantas.

Kedua-dua MOSFET baharu itu ‘U-MOS VIII Siri H’, ‘TPH4R10ANL’ dan ‘TPH6R30ANL,’ memulakan penghantaran dari hari ini.

Bersama-sama dengan penyebaran dan evolusi pengecas pantas, prestasi yang lebih tinggi itu dituntut untuk memberi kuasa kepada MOSFET yang digunakan dalam penerus sebelah menengah.

MOSFET baharu itu menggunakan proses struktur trenc bervoltan rendah Toshiba untuk mencapai prestasi rintangan rendah dan berkelajuan tinggi yang terkemuka dalam kelasnya[1] di dalam industri.

Struktur itu merendahkan indeks prestasi bagi ‘RDS(ON) * Qsw’ [2], sekali gus memperbaiki penukaran aplikasi.

Kehilangan output dipertingkatkan dengan pengurangan cas output, yang boleh menyumbang kepada set kecekapan yang lebih tinggi.

Di samping itu, sokongan untuk pemacu tahap logik 4.5 V memungkinkan pemacu kurang penimbal daripada pengawal IC, sekali gus menyumbang kepada mengurangkan penggunaan kuasa bagi sistem itu.

Tambahan pula, produk-produk baharu itu boleh bertindak balas kepada output dan kuasa voltan tinggi yang dibekalkan yang diperlukan dalam aplikasi USB 3.0 yang berkaitan. MOSFET baharu itu adalah sesuai untuk aplikasi termasuk pengecas pantas, bekalan kuasa mod bertukar dan penukar DC-DC untuk server dan peralatan komunikasi.

MOSFET baharu itu adalah sesuai untuk aplikasi termasuk pengecas pantas, bekalan kuasa mod bertukar dan penukar DC-DC untuk server dan peralatan komunikasi. – Bernama