SEOUL, 28 FEB – Samsung Electronics berkata kelmarin ia telah membangunkan HBM3E 12H, DRAM HBM3E 12 tindanan pertama dalam industri dan produk Memori Lebar Jalur Tinggi (HBM) berkapasiti tertinggi setakat ini, melangkah lebih jauh daripada pesaingnya dalam pasaran cip kecerdasan buatan yang sedang berkembang.
Pembuat cip memori terbesar di dunia itu berkata ia telah mula menyediakan sampel HBM3E 12H kepada pelanggan, dan pengeluaran besar-besaran dijadualkan pada separuh pertama tahun ini.
“Penyedia perkhidmatan AI industri semakin memerlukan HBM dengan kapasiti yang lebih tinggi, dan produk HBM3E 12H baharu kami telah direka untuk menjawab keperluan itu,” kata Naib Presiden Eksekutif Perancangan Produk Memori di Samsung Electronics, Bae Yong-cheol.
“Penyelesaian memori baharu ini menjadi sebahagian daripada pemacu kami ke arah membangunkan teknologi teras untuk HBM tindanan tinggi dan menyediakan kepimpinan teknologi untuk pasaran HBM berkapasiti tinggi dalam era AI,” katanya.
HBM ialah cip memori dengan penggunaan kuasa rendah dan lorong komunikasi ultra lebar, menggunakan cip memori bertindan menegak untuk memecahkan kesesakan pemprosesan yang disebabkan oleh cip memori konvensional.
Memandangkan pertumbuhan eksponen pasaran AI, cip memori berkapasiti tinggi termaju akan menjadi penyelesaian optimum untuk sistem masa depan yang memerlukan lebih banyak memori, kata Samsung.
Apabila digunakan dalam aplikasi AI, dianggarkan, berbanding dengan menggunakan HBM3 8H, kelajuan purata untuk latihan AI boleh ditingkatkan sebanyak 34 peratus manakala bilangan pengguna serentak perkhidmatan inferens boleh dikembangkan lebih daripada 11.5 kali.
“Prestasi dan kapasitinya yang lebih tinggi akan membolehkan pelanggan mengurus sumber mereka dengan lebih fleksibel dan mengurangkan jumlah kos pemilikan untuk pusat data,” kata Samsung. – ANN/The Korea Herald
